MT47H16M16BG-5E:B是美光科技生产的一款256Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用16M x 16的存储组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率达200MHz，在DDR双倍数据速率下可实现400MT/s的数据传输率，其核心访问时间为600ps，具备快速的数据响应能力。
芯片采用1.7V至1.9V低电压供电，有效控制运行功耗，并采用84-FBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB设计。其工作温度范围为0°C至85°C，满足商业级嵌入式应用的环境要求。该产品为需要中等带宽和可靠性的传统系统提供了经过验证的存储器解决方案。
- 型号:MT47H16M16BG-5E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-FBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
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