MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G TR是美光科技推出的一款2Gb容量、采用SLC NAND技术的并行接口闪存芯片。其核心优势在于高可靠性与宽温工作能力，作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，它能够在-40°C至105°C的极端温度范围内稳定运行，确保数据在恶劣环境下的完整性。
该器件提供30ns的快速访问和写入时间，以及1.7V至1.95V的低工作电压，兼顾了性能与能效。采用63-VFBGA封装并以卷带形式供货，非常适合要求高耐用性、长生命周期和自动化生产的汽车电子、工业控制及通信基础设施等应用领域。
- 型号:MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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