MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR 是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量、并行接口的NAND闪存存储器。该芯片采用非易失性存储技术，确保数据在断电后得以保存，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围兼容标准的3.3V系统，增强了电源适应性。
器件采用63-VFBGA表面贴装封装，支持卷带或剪切带包装，便于自动化生产。其核心特性包括支持工业级宽温工作范围（-40°C至85°C），适用于环境条件严苛的工业控制、汽车电子及嵌入式系统。该并行NAND闪存为需要中等存储容量和直接内存访问的应用提供了可靠的解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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