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MICRON
MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR的图片

MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
原厂封装:产品封装:132-VBGA
优势价格,MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR是美光科技推出的一款采用3D NAND TLC技术的并行接口闪存芯片,其核心卖点在于提供了高达1Tb(128GB)的存储容量。该容量通过8位宽的数据总线(128G x 8)组织,能够满足对存储空间有极高要求的应用。

器件采用2.7V至3.6V宽电压供电,并封装在紧凑的132-VBGA封装内,支持表面贴装,适用于空间受限的设计。作为非易失性存储器,它能在断电后永久保存数据,工作温度范围覆盖0°C至70°C,确保了在商业及工业常规环境下的数据可靠性与系统稳定性。

  • 制造商产品型号:MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(TLC)
  • 存储容量:1Tb(128G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • 想获取MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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