MT41J128M8JP-15E:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用128M x 8的存储结构。该器件采用78-TFBGA表面贴装封装，工作电压为1.5V标准，支持高达667MHz的时钟频率，实现1333 MT/s的数据传输速率。
其设计侧重于提供稳定的高速数据读写能力，并集成信号完整性优化功能。工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），适用于对性能和可靠性有要求的嵌入式及工业应用环境。
- 型号:MT41J128M8JP-15E:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
- 想获取MT41J128M8JP-15E:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
