MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR

MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与132-VBGA封装。其核心卖点在于基于3D NAND技术实现的高存储密度（64G x 8组织方式）以及高达333MHz的时钟频率，为数据密集型应用提供了高速、大容量的非易失性存储解决方案。

该器件设计用于表面贴装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备工业级可靠性。其卷带包装形式适合自动化生产，主要面向企业级存储、高端嵌入式系统及工业控制等对存储性能、容量和环境适应性有严苛要求的应用领域。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料