MT29F256G08CECBBH6-6R:B是美光科技生产的一款256Gb（32GB）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和MLC技术。该器件以32G x 8的内部组织形式，提供了高密度的数据存储能力，其核心优势在于高达167MHz的操作频率和2.7V~3.6V的宽电压供电范围，确保了高速数据传输与良好的电源兼容性。
芯片集成了硬件ECC和坏块管理功能，增强了数据可靠性。其支持的缓存编程与多平面操作特性，能有效优化写入速度和并发处理能力。采用152-VBGA封装，工作温度为0°C至70°C，适用于表面贴装工艺，主要面向需要大容量、高性能非易失性存储的嵌入式系统和企业级存储应用。
- 型号:MT29F256G08CECBBH6-6R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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