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MICRON
MT40A512M8SA-062E:F的图片

MT40A512M8SA-062E:F

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(7.5x11)
优势价格,MT40A512M8SA-062E:F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M8SA-062E:F的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M8SA-062E:F是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用并联接口,组织架构为512M x 8,运行时钟频率高达1.6GHz(数据速率3200MT/s),并提供13.75ns的访问时间,为系统提供了高带宽与快速响应的内存解决方案。

其核心优势在于符合JEDEC标准的DDR4架构,工作电压低至1.2V(1.14V~1.26V),显著优化了功耗表现。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装,支持0°C至95°C(TC)的工作温度范围,并集成ODT、DBI等高级信号完整性功能,确保了在高速运行下的稳定性和可靠性,适用于对性能与能效有严格要求的计算和网络平台。

  • 型号:MT40A512M8SA-062E:F
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 想获取MT40A512M8SA-062E:F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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