MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于将高密度存储与高性能访问相结合，时钟频率可达333MHz，能提供高速的数据传输能力。

该器件设计用于严苛环境，支持2.5V至3.6V的宽电压供电和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在各种应用条件下的高可靠性和数据持久性。这些特性使其成为企业存储、工业控制和汽车电子等领域中，需要大容量非易失性存储解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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