MT41K2G4RKB-107:N TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用78-TFBGA表面贴装封装。该芯片基于DDR3L（低电压）技术，核心电压范围为1.283V~1.45V，在显著降低功耗的同时，提供了高达933MHz的时钟频率，实现1866MT/s的数据传输速率，有效平衡了能效与性能。
其存储结构为2G x 4的并行接口配置，访问时间为20ns，确保了高效的数据读写能力。工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于广泛的商业及工业嵌入式环境。该器件已停产，主要面向需要低功耗、高带宽内存解决方案的现有系统维护与特定应用。
- 型号:MT41K2G4RKB-107:N TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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