MT29F1T08CUEABH8-12:A TR是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片，采用152-LBGA封装和卷带包装，适用于表面贴装型应用。该芯片基于闪存 - NAND技术，提供非易失性存储解决方案，工作电压范围为2.7V至3.6V，支持83MHz时钟频率，可实现较高的数据吞吐性能。
其核心卖点包括大存储容量（128G x 8组织方式）和并联存储器接口，适合需要高速数据存取和大规模本地存储的嵌入式系统。芯片设计用于0°C至70°C的工作温度环境，确保在工业标准条件下的可靠性，尽管产品状态已停产，但仍适用于现有系统的维护或特定存储需求场景。
- 型号:MT29F1T08CUEABH8-12:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-LBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-LBGA
- 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
- 想获取MT29F1T08CUEABH8-12:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
