MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A 是美光科技推出的一款2Tb（256GB）大容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用先进的闪存技术，以256G x 8位的内部结构组织数据，并通过132-VBGA封装实现紧凑的表面贴装设计。
其核心优势在于高达333MHz的时钟频率与并联接口相结合带来的卓越数据传输性能，以及宽达2.5V至3.6V的工作电压范围，确保了高速稳定运行与良好的系统兼容性。作为一款商业级（0°C至70°C）非易失性存储器，它为企业存储、高端嵌入式系统等需要处理海量数据的应用提供了高可靠性的存储解决方案。
- 型号:MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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