MT40A512M16LY-062E AUT:E TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM，采用512M x 16的并行架构。该器件支持高达1.6GHz的时钟频率，实现3200 MT/s的数据传输速率，其19ns的访问时间和1.14V~1.26V的工作电压范围，在提供高带宽的同时优化了系统功耗。
产品采用96-TFBGA封装，支持表面贴装，并具备-40°C至125°C的宽温工作能力，确保了在工业及汽车电子等严苛环境下的可靠性。其高速、低功耗与高可靠性的结合，使其适用于网络基础设施、高性能嵌入式系统及汽车计算平台等对存储器性能有严格要求的领域。
- 型号:MT40A512M16LY-062E AUT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:19 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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