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MICRON
MT41K1G8THE-15E:D TR的图片

MT41K1G8THE-15E:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(10.5x12)
优势价格,MT41K1G8THE-15E:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K1G8THE-15E:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K1G8THE-15E:D TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用1G x 8位架构,通过并联接口提供高速数据访问,其核心数据速率高达1333 MT/s(对应667MHz时钟频率),访问时间为13.5ns,能够满足对内存带宽和响应速度有较高要求的应用。

该芯片采用1.35V低电压供电(范围1.283V~1.45V),属于DDR3L标准,在提供与标准DDR3相当性能的同时,显著降低了动态和静态功耗。其采用78-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC),适用于空间受限且对热管理有要求的嵌入式设计与网络通信设备。

  • 型号:MT41K1G8THE-15E:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(10.5x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:1G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.5 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(10.5x12)
  • 想获取MT41K1G8THE-15E:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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