MT49H64M9BM-25:B是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用64M x 9的组织结构。该器件核心性能突出，支持高达400MHz的工作频率，并实现20ns的快速访问时间，能够满足高速数据处理应用对带宽和延迟的严格要求。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，体现了低功耗设计理念，有助于提升终端设备的能效。芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的PCB设计。这些特性使其在需要高吞吐量数据缓冲的通信、工业控制等应用场景中，曾是一款值得考虑的存储解决方案。
- 型号:MT49H64M9BM-25:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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