MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR是美光科技推出的一款32Gb容量、采用LPDDR4技术的移动DRAM芯片。该器件采用512M x 64的位宽组织，在2133MHz的时钟频率下运行，提供高数据传输带宽，同时核心工作电压低至1.1V，显著优化了能效比。

其采用432-VFBGA紧凑封装，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。该芯片工作温度范围为-30°C至85°C（TC），并集成了先进的移动端电源管理特性，旨在为要求高性能、低功耗和可靠性的下一代移动及嵌入式应用提供核心内存解决方案。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：432-VFBGA
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