MT40A1G8WE-083E AAT:B是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 8的并行接口架构。其核心特性包括高达1.2GHz的时钟频率（对应2400 MT/s的数据速率）以及1.14V至1.26V的低工作电压范围，旨在提供高带宽数据传输的同时实现更优的能效表现。
该器件采用78-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，确保了其在工业及扩展温度环境下的稳定性和可靠性。这些参数使其成为适用于网络通信、嵌入式计算及高性能存储等对内存性能和环境适应性有严格要求的应用场景的解决方案。
- 型号:MT40A1G8WE-083E AAT:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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