MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR

MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR是一款128Gb（16G x 8）容量的NAND闪存芯片，采用并联接口和100MHz时钟频率，支持高速数据传输，适用于需要大容量非易失性存储的应用。其工作电压为2.7V至3.6V，封装为48-TFSOP表面贴装型，确保在0°C至70°C温度范围内稳定运行。

基于美光科技的闪存技术，该芯片提供高密度存储解决方案，通过优化页编程和块擦除操作，平衡性能与功耗。其核心卖点包括高可靠性、紧凑封装和易于集成的设计，适合固态硬盘、工业设备和消费电子产品等场景。

• 制造商产品型号：MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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