MT40A1G8SA-062E AAT:E TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM，采用1G x 8的并行架构。该器件运行时钟频率高达1.6GHz，可实现高速数据传输，其19ns的访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据吞吐性能。
作为一款通过AEC-Q100认证的汽车级产品，它能够在-40°C至105°C的宽温度范围内稳定工作，满足汽车电子对可靠性的严苛要求。其1.14V~1.26V的工作电压有助于降低系统整体功耗，而78-TFBGA的表面贴装封装则适用于空间受限的高密度电路板设计。
- 型号:MT40A1G8SA-062E AAT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（7.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:19 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
- 想获取MT40A1G8SA-062E AAT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
