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MICRON
MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR的图片

MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
原厂封装:封装:134-VFBGA(10x11.5)
优势价格,MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR是美光科技推出的一款2Gb容量移动LPDDR2 SDRAM,采用64M x 32位架构。该器件以533MHz的时钟频率运行,实现1066 Mbps/pin的数据速率,并通过32位并行接口提供高达4.3GB/s的峰值带宽,满足高性能计算对数据吞吐量的要求。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗、高可靠性的结合。工作电压低至1.14V-1.3V,并集成多种高级电源管理功能,有效降低系统能耗。同时,作为AEC-Q100认证的汽车级产品,它可在-40°C至85°C的宽温度范围内稳定工作,确保了在恶劣环境下的数据可靠性和长期耐用性。

该芯片采用134-VFBGA小型化封装,适合空间受限的设计。这些特性使其成为汽车电子(如ADAS、车载信息娱乐)、工业控制及高端便携式设备等需要高带宽、低功耗和高可靠性的应用的理想存储解决方案。

  • 型号:MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:64M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-VFBGA
  • 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5)
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