MT29F64G08CECCBH1-12Z:C是美光科技生产的一款64Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用8G x 8位的内部架构，通过83MHz时钟频率的并联接口实现高速数据访问，其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好。
芯片采用100-VBGA表面贴装封装，支持0°C至70°C的工业级工作温度，适用于对存储密度和可靠性有较高要求的嵌入式环境。其核心价值在于提供了大容量、非易失性的数据存储解决方案，能够满足工业控制、网络存储及多媒体设备等应用对固件与数据存储的关键需求。
- 型号:MT29F64G08CECCBH1-12Z:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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