M29F400BT70M6E是美光科技生产的一款4Mb（512K x 8/256K x 16）并行NOR闪存存储器，采用44-SOIC封装和表面贴装技术。该器件基于非易失性闪存技术，可在4.5V至5.5V单电源电压下工作，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围。
其核心特性包括70ns的快速访问时间和写周期时间，以及并联存储器接口，确保了与微处理器的高速数据交换。该芯片提供了灵活的数据组织方式和可靠的擦写周期，适用于需要存储固件、配置数据或执行代码的嵌入式应用。
- 型号:M29F400BT70M6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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