MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR是美光科技生产的一款128Mb（16M x 8）串行NOR闪存芯片。该器件采用SPI接口，最高支持133MHz时钟频率，在四线（Quad）I/O模式下可实现高速数据吞吐，满足嵌入式系统对快速代码执行和数据读取的需求。
芯片工作电压为2.7V至3.6V，提供工业级工作温度范围（-40°C至85°C），并采用8-SOIC表面贴装封装，确保了在严苛环境下的可靠性和紧凑的电路板设计。其核心特性包括快速的页编程时间（典型值2.8ms）以及非易失性数据存储，适用于存储固件、引导代码和关键参数。
- 型号:MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:8-SOP2
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT SPI 8SOP2
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:SPI - 四 I/O
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:8ms，2.8ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.209，5.30mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOP2
- 想获取MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
