MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR是美光科技推出的一款8Gb（1G x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口。该器件属于Automotive系列并符合AEC-Q100标准，具备非易失特性，专为高可靠性应用设计。
其核心优势在于宽广的工业级工作温度范围（-40°C至105°C）和1.7V~1.95V的低电压供电，确保了在严苛环境下的稳定运行与能效。芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，以卷带形式提供，适合自动化生产，主要面向汽车电子、工业控制等需要持久、可靠数据存储的领域。
- 型号:MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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