NAND01GR3B2BZA6E是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存，采用63-TFBGA封装。该器件基于NAND闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心架构支持快速的页操作，访问时间与写周期时间均达到30ns，确保了高效的数据读写性能。
其工作电压范围为1.7V至1.95V，兼容低功耗设计需求，并且具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，适用于环境要求严苛的工业与嵌入式应用。该芯片通过标准的并行接口与主控制器连接，为需要中等容量、可靠存储的解决方案提供了一个经过验证的硬件基础。
- 型号:NAND01GR3B2BZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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