MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR

MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR是一款由美光科技制造的64Gb（8GB）容量NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，通过8位并行接口实现高速数据访问，其时钟频率可达333MHz，能够满足对数据吞吐率有较高要求的应用。

该器件工作电压范围宽（2.7V~3.6V），采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在商业及工业环境下的可靠性与设计便利性。其核心卖点在于将大容量存储与高速并行接口相结合，为数据密集型嵌入式系统和存储模块提供了高效的解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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