MT46V32M16FN-5B:C TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器,采用32M x 16位的组织架构。该芯片基于DDR技术,核心工作电压为2.5V~2.7V,时钟频率达200MHz,可实现每个数据引脚400Mbps的高速数据传输速率。
其关键特性包括700ps的快速访问时间、15ns的写周期时间以及标准的并联接口。器件采用60-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至70°C,适用于商业级应用环境。这款芯片为需要中等带宽和容量内存的嵌入式系统提供了可靠的数据存储解决方案。
- 型号:MT46V32M16FN-5B:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(10x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(10x12.5)
- 想获取MT46V32M16FN-5B:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料