M29W640GB6AZA6F TR 是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存存储器,采用48-TFBGA封装。该器件提供8M x 8位或4M x 16位的可配置存储组织,支持灵活的字节/字访问模式,其并行接口便于与微处理器直接连接,实现快速随机存取。
该芯片的核心性能参数包括60ns的访问时间和60ns的写周期时间,确保了高效的读取和编程操作。其工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容标准的3.3V系统,并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作,满足工业级应用对可靠性的要求。
- 型号:M29W640GB6AZA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA(6x8)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8,4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:60ns
- 访问时间:60 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA(6x8)
- 想获取M29W640GB6AZA6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料