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MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR
的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:
美光(MICRON)
功能简述:
IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
原厂封装:
封装:200-VFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR的技术资料下载
MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
型号:MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR
品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
封装:200-VFBGA(10x14.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量:64Gb
存储器组织:2G x 32
存储器接口:-
时钟频率:2.133 GHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 供电:1.1V
工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:200-VFBGA
供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
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