MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR是美光科技生产的一款1Gb容量、采用SLC NAND技术的并行接口闪存。该器件提供128M x 8位的组织架构，具备25ns的快速页写入和访问时间，工作电压为1.7V至1.95V。
作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，其核心优势在于高可靠性与耐久性，可在-40°C至105°C的极端温度范围内稳定运行。63-VFBGA封装和卷带包装使其适用于要求严苛的汽车电子及工业嵌入式系统的高密度表面贴装应用。
- 型号:MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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