MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和100-TBGA封装。该器件基于32G x 8位的内部架构，在2.7V~3.6V电压下工作，时钟频率可达83MHz，支持高速数据存取。
作为一款非易失性存储器，它为核心数据提供断电保护，适用于商业温度范围（0°C至70°C）内的各种应用。其卷带包装形式便于自动化表面贴装生产。这款大容量、高性能的闪存解决方案主要服务于对存储密度和可靠性有较高要求的嵌入式及企业级存储设计。
- 型号:MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
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