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MICRON
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR的图片

MT40A256M16LY-062E AAT:F TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(7.5x13.5)
优势价格,MT40A256M16LY-062E AAT:F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A256M16LY-062E AAT:F TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A256M16LY-062E AAT:F TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用256M x 16的并行架构。该器件运行时钟频率高达1.6GHz,提供高速的数据吞吐能力,其1.2V标称工作电压有助于实现更低的系统功耗。

该芯片提供19ns的快速访问时间,并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围,确保了在恶劣环境下的可靠运行。其表面贴装型96-TFBGA封装形式,适用于空间受限的高密度电路板设计,主要面向网络通信、高性能嵌入式计算及汽车电子等对内存性能和可靠性要求严苛的应用场景。

  • 型号:MT40A256M16LY-062E AAT:F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(7.5x13.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13.5)
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