MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR是美光科技生产的一款512Gb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，以64G x 8位的结构组织，为核心数据存储应用提供了高密度的解决方案。

其关键特性包括支持高达267MHz的时钟频率，确保了高速数据传输能力，工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定运行。这些参数使其成为追求高性能与可靠性的存储系统的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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