MT41K256M16V90BWC1是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用256M x 16位的组织架构和并联接口,属于易失性DRAM存储器,专为需要高带宽和低功耗内存解决方案的应用而设计。
其核心优势在于采用了低电压DDR3L技术,工作电压范围为1.283V至1.45V,相比标准电压DDR3内存能显著降低系统功耗。芯片支持0°C至95°C的宽工作温度范围,确保了在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其非常适合应用于网络通信、嵌入式系统和工业控制等领域,以满足其对性能、能效和可靠性的综合要求。
- 制造商产品型号:MT41K256M16V90BWC1
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
- 产品系列:存储器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb(256M x 16)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:-
- 产品封装:-
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