MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用256M x 8位的组织架构和并行接口。该器件设计用于需要可靠非易失性数据存储的应用，其核心卖点在于宽泛的2.7V至3.6V工作电压范围以及扩展的工业级温度耐受性（-40°C至85°C）。
芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，支持标准的异步NAND闪存操作命令集，通过8位I/O端口实现数据、地址和命令的传输。其参数表明该产品适用于对环境适应性和数据稳定性有较高要求的嵌入式系统设计。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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