MT41J128M8HX-15E:D TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用78-FBGA表面贴装封装。该器件基于并联接口，内部组织为128M x 8位，其核心优势在于提供高达667MHz的时钟频率，结合DDR技术可实现1333MT/s的有效数据传输速率，为系统提供高带宽内存访问能力。
该芯片工作电压为1.5V典型值（范围1.425V~1.575V），在提升性能的同时注重能效。其设计支持0°C至95°C（TC）的工作温度范围，适用于对稳定性有要求的商业及工业级嵌入式环境。作为一款成熟的DDR3解决方案，它适用于需要可靠、中等容量和高性能内存的各类电子设备。
- 型号:MT41J128M8HX-15E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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