MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和3D NAND技术。其核心卖点在于将高密度存储与高性能相结合，提供高达333MHz的时钟频率，并支持2.5V至3.6V的宽电压供电范围，确保了高速数据吞吐和设计灵活性。

该器件采用132-VBGA封装，适用于表面贴装，工作温度范围为0°C至70°C，满足商业级应用的环境要求。其非易失性特性和64G x 8位的组织架构，使其成为大容量数据存储和缓存应用的理想选择，尤其适合集成到需要可靠、紧凑型存储解决方案的现代电子设备中。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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