MT29F512G08EBLCEJ4-R:C

MT29F512G08EBLCEJ4-R:C 是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用TLC（3位单元）技术和并行接口。其核心卖点在于将高密度存储（64G x 8位组织）与成熟的并行数据传输架构相结合，在2.7V至3.6V的工作电压下提供可靠的非易失性数据存储。

该器件采用132-VBGA表面贴装封装，适用于空间优化的PCB设计。其0°C至70°C的商业级工作温度范围及并行接口带来的有效带宽，使其成为对存储容量和稳定性有较高要求的应用，如固态硬盘、工业系统及数据存储设备的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBLCEJ4-R:C
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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