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MICRON
EDB4416BBBH-1DIT-F-R的图片

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
原厂封装:封装:134-FBGA(10x11.5)
优势价格,EDB4416BBBH-1DIT-F-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB4416BBBH-1DIT-F-R的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB4416BBBH-1DIT-F-R是美光科技推出的一款4Gb容量移动LPDDR2 SDRAM,采用256M x 16的并行架构。该器件以533MHz的时钟频率运行,提供高效的数据带宽,同时其1.14V至1.95V的宽电压供电范围支持先进的动态功耗管理,显著优化了整体系统能效。

其采用134-ball FBGA封装,适用于表面贴装,具有紧凑的占位面积。工作温度范围为-40°C至85°C,确保了在苛刻环境下的可靠性。这款存储器主要面向对功耗、性能和空间均有严格要求的移动计算与嵌入式应用。

  • 型号:EDB4416BBBH-1DIT-F-R
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-WFBGA
  • 供应商器件封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 想获取EDB4416BBBH-1DIT-F-R的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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