MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR是美光科技推出的一款2Tb容量、并行接口的NAND闪存芯片。该器件采用256G x 8的存储单元组织，提供高达256GB的存储空间，并支持最高333MHz的时钟频率，能够实现高速的数据传输，满足对带宽有较高要求的应用场景。
其工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度为0°C至70°C，确保了在工业环境下的广泛适用性和可靠性。作为一款大容量非易失性存储器，它为核心数据存储提供了高密度、高性能的解决方案。
- 型号:MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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