MT29F512G08CUCABH3-10:A TR是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口，最高时钟频率达100MHz，可实现高速数据读写。其核心架构为64G x 8位组织，工作电压范围2.7V~3.6V，兼容标准3.3V系统。
该芯片采用100-LBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业温度环境。作为一款大容量、并行接口的闪存解决方案，它主要设计用于需要高带宽和非易失性大容量存储的嵌入式系统与数据存储设备中。
- 型号:MT29F512G08CUCABH3-10:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-LBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-LBGA
- 供应商器件封装:100-LBGA（12x18）
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