MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A

MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A 是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和3D NAND技术，提供64G x 8位的存储组织。该器件设计用于高性能数据存储，支持高达333MHz的时钟频率，确保快速的数据读写能力。

作为非易失性存储器，它可在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业与汽车等严苛环境。芯片采用132-VBGA表面贴装封装，以托盘形式供货，便于集成到高密度电路设计中，满足企业存储、嵌入式系统及数据中心应用对容量和可靠性的需求。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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