MT41K512M8RH-125 M:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR3L低电压技术，核心供电电压范围为1.283V~1.45V，在有效降低系统功耗的同时，支持高达800MHz的时钟频率，实现1600 MT/s的数据传输速率。
其存储结构为512M x 8位并联接口，访问时间为13.75ns，提供了高效的数据吞吐性能。该芯片工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对功耗和可靠性有较高要求的嵌入式及工业应用场景。
- 型号:MT41K512M8RH-125 M:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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