M58LT256KST7ZA6E是美光科技推出的一款256Mb并行NOR闪存芯片，采用16M x 16位的组织架构。该器件提供70ns的快速访问时间和写入周期，时钟频率最高可达52MHz，支持高速数据读取和代码执行，满足实时性要求高的应用需求。
其工作电压范围为1.7V至2.0V，有助于实现低功耗设计，并采用64-TBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保在工业级环境下的可靠运行。这款芯片适用于需要非易失性存储和快速随机访问的嵌入式系统，如通信设备、工业控制及汽车电子等领域。
- 型号:M58LT256KST7ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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