MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心优势在于高密度存储（64G x 8组织）与高速数据传输能力（支持267MHz时钟频率）的结合，为数据密集型应用提供了大容量非易失存储解决方案。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级环境。其卷带包装形式便于自动化表面贴装生产。这款芯片主要面向需要可靠、大容量数据存储的嵌入式系统和存储模块。
- 型号:MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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