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MICRON
MT29F512G08CECBBJ4-37:B的图片

MT29F512G08CECBBJ4-37:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
原厂封装:封装:132-VBGA(12x18)
优势价格,MT29F512G08CECBBJ4-37:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F512G08CECBBJ4-37:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F512G08CECBBJ4-37:B是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片,采用并联接口。其核心架构基于MLC NAND技术,组织格式为64G x 8位,可在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作,并支持高达267MHz的时钟频率,旨在提供高带宽的数据传输能力。

该器件采用132-VBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至70°C,适用于商业及工业温控环境。其设计面向需要大容量、非易失性存储且对数据吞吐速率有要求的应用。需要注意的是,此型号产品目前已停产,主要适用于既有系统的维护或特定项目。

  • 型号:MT29F512G08CECBBJ4-37:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(MLC)
  • 存储容量:512Gb
  • 存储器组织:64G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • 想获取MT29F512G08CECBBJ4-37:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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