MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用132-VBGA表面贴装封装。该器件属于有源产品，提供卷带（TR）包装，便于自动化生产贴装。

其核心卖点在于提供了高密度的非易失性存储解决方案。作为美光存储器产品线的一员，它旨在满足需要大容量数据存储的现代电子系统的需求，其紧凑的BGA封装形式特别适合空间受限的设计。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：-
• 存储器格式：-
• 技术：-
• 存储容量：-
• 存储器接口：-
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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