MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR是美光科技推出的一款4Tb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。其核心卖点在于结合了超高存储密度与高速数据吞吐能力，内部组织为512G x 8位，并支持高达333MHz的时钟频率，为处理海量数据流提供了硬件基础。

该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度0°C至70°C，确保了在商业应用环境中的广泛适用性和稳定性。作为非易失性存储器，它在断电后能可靠保存数据。其卷带（TR）包装形式便于自动化生产，主要针对需要大容量、高性能存储解决方案的企业级存储、数据中心及高端嵌入式系统等应用场景。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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