MT29F4G08BBBWP TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8位）容量NAND闪存芯片。它采用并联接口和1.7V~1.95V的低电压供电，属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失。
该器件采用48-TSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其核心卖点在于基于成熟MLC NAND技术实现的高存储密度和成本效益，以及并行接口带来的高效数据吞吐潜力，适合需要可靠固件存储和数据缓冲的嵌入式系统。
- 型号:MT29F4G08BBBWP TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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