MT29F4G16ABAEAH4:E TR

MT29F4G16ABAEAH4:E TR是美光科技生产的一款4Gb（256M x 16位组织）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，基于成熟的闪存技术，确保数据在断电后持久保存。

其核心特性包括宽泛的2.7V至3.6V工作电压范围，兼容标准的3.3V系统，以及0°C至70°C的商业级工作温度范围。4Gb的存储容量和并行接口设计，使其能够为嵌入式系统提供大容量、可直接访问的存储解决方案，适用于需要可靠存储固件、配置参数或用户数据的各种应用。

• 制造商产品型号：MT29F4G16ABAEAH4:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（256M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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